電阻式熱蒸發

電阻蒸發是一種普遍的物理氣相沉積技術,因為它的簡單性。 在該過程中,使用電能將高真空環境中的材料加熱至其蒸發點。 汽化的分子然后從源極移動到基底,在那里它們核化在一起,形成薄膜涂層。 使用這種技術可以沉積的材料包括鋁,銀,鎳,鉻,鎂等。


電阻蒸發需要高水平的真空度有兩個原因。 第一個是當氣體從室抽真空時,其內部的蒸氣分子可能在與氣體分子碰撞之前行進更長的距離。

與氣體分子的碰撞在蒸發期間是不希望的,因為它們改變材料蒸汽的行進方向,從而可能不利地影響基底的覆蓋。 當氣體壓力低于10-5 Torr時,與氣體分子(也稱為平均自由程)碰撞之前的蒸汽分子的平均行進距離大于5米,這通常大于室尺寸。 這意味著分子將從源極到基底的直線行進,使電阻蒸發高度定向。 這是在微型和納米制造中進行剝離工藝的沉積時的重要特征。

高真空重要的第二個原因是膜純度。 存在于空氣中的氣體如果以某種方式融入沉積物中,則可能對膜性質有害。 這對于氧化金屬膜是特別真實的。 通過泵送大部分氣體并進入10-6 Torr或以下范圍內,蒸發膜的純度大大提高。

有許多使用電阻熱蒸發的應用。 我們的許多客戶使用它來為其薄膜器件(例如OLED,太陽能電池和薄膜晶體管)沉積金屬接觸層。 我們的一些客戶也使用這種技術來沉積厚的銦層用于晶片接合。 可以使用石英晶體速率傳感器,溫度或光學監控系統來控制沉積速率,以確保高質量的結果。


我們通常自行創建定制的具有電阻熱蒸發源的沉積系統,或者與其他沉積技術結合使用。


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